Η Samsung Electronics σχεδιάζει να ξεκινήσει τη μαζική παραγωγή της έκτης γενιάς DRAM κατηγορίας 10nm τον Δεκέμβριο του τρέχοντος έτους

Η Samsung Electronics σχεδιάζει να αποδεχτεί την πιστοποίηση πελατών και να ξεκινήσει τη μαζική παραγωγή της έκτης γενιάς DRAM κατηγορίας 10nm τον Δεκέμβριο του τρέχοντος έτους. Αυτό το προϊόν θα χρησιμοποιεί μια διαδικασία αιχμής ακραίας υπεριώδους λιθογραφίας (EUV), η οποία μπορεί να επιτύχει υψηλότερο Net Die (τον αριθμό των τσιπ που μπορούν να παραχθούν ανά γκοφρέτα) και να βελτιώσει την απόδοση ισχύος της προηγούμενης πέμπτης γενιάς.