Samsung Electronics namerava decembra letos začeti množično proizvodnjo šeste generacije DRAM-a razreda 10nm

Samsung Electronics namerava decembra letos sprejeti certifikat strank in začeti množično proizvodnjo šeste generacije DRAM-a razreda 10nm. Ta izdelek bo uporabljal najsodobnejši postopek ekstremne ultravijolične (EUV) litografije, ki lahko doseže večjo neto matrico (število čipov, ki jih je mogoče proizvesti na rezino) in izboljša učinkovitost prejšnje pete generacije 10-nanometrskih izdelkov.