Samsung Electronics planuje rozpocząć masową produkcję pamięci DRAM szóstej generacji w technologii 10 nm w grudniu tego roku

Samsung Electronics planuje zaakceptować certyfikat klienta i rozpocząć masową produkcję pamięci DRAM szóstej generacji w technologii 10 nm w grudniu tego roku. W produkcie tym zastosowano najnowocześniejszy proces litografii w ekstremalnym ultrafiolecie (EUV), który pozwala uzyskać wyższą matrycę netto (liczbę chipów, które można wyprodukować na płytkę) i poprawić wydajność energetyczną poprzednich produktów piątej generacji klasy 10 nm.