„Samsung Electronics“ šių metų gruodį planuoja pradėti masinę šeštos kartos 10 nm klasės DRAM gamybą

„Samsung Electronics“ planuoja priimti klientų sertifikatus ir pradėti masinę šeštos kartos 10 nm klasės DRAM gamybą šių metų gruodį. Šiame gaminyje bus naudojamas pažangiausias ekstremalios ultravioletinės (EUV) litografijos procesas, kuris gali pasiekti didesnį „Net Die“ (lustų skaičių, kurį galima pagaminti vienoje plokštelėje) ir pagerinti ankstesnius penktos kartos 10 nm klasės gaminius.