Samsung Electronics có kế hoạch bắt đầu sản xuất hàng loạt DRAM loại 10nm thế hệ thứ sáu vào tháng 12 năm nay

Samsung Electronics có kế hoạch chấp nhận chứng nhận của khách hàng và bắt đầu sản xuất hàng loạt DRAM loại 10nm thế hệ thứ sáu vào tháng 12 năm nay. Sản phẩm này sẽ sử dụng quy trình in thạch bản cực tím (EUV) tiên tiến, có thể đạt được Net Die (số lượng chip có thể được sản xuất trên mỗi tấm wafer) cao hơn và cải thiện hiệu suất năng lượng của các sản phẩm loại 10nm thế hệ thứ năm trước đó.