Verdens første 8-tommers silisium fotoniske tynnfilm litium niobate wafer ble utviklet med suksess

Verdens første 8-tommers fotoniske silisium tynnfilm litiumniobatplate har blitt utviklet med suksess i Jiufengshan Laboratory. Denne prestasjonen bruker bindingsteknologien til en 8-tommers SOI fotonisk silisiumskive og en 8-tommers litiumniobatskive for å oppnå monolitisk integrasjon av optoelektroniske transceiverfunksjoner, som representerer den mest avanserte teknologien innen silisiumbasert sammensatt optoelektronisk integrasjon.