Infineon Technologies lanceert een nieuwe generatie siliciumcarbide (SiC) MOSFET-sleufpoorttechnologie

Infineon Technologies heeft een nieuwe generatie siliciumcarbide (SiC) MOSFET-trenchgate-technologie gelanceerd, die de belangrijkste prestatie-indicatoren van MOSFET's met 20% verbetert, waardoor de energie-efficiëntie wordt verbeterd en een lage carbonisatie wordt bevorderd. De nieuwe generatie G2-technologie van CoolSiC MOSFET zal de prestatievoordelen van siliciumcarbide blijven benutten, het energieverlies verminderen en de efficiëntie in het stroomconversieproces verbeteren.