Η Infineon Technologies λανσάρει νέας γενιάς τεχνολογία αυλόπορτας MOSFET καρβιδίου του πυριτίου (SiC)

Η Infineon Technologies κυκλοφόρησε μια νέα γενιά τεχνολογίας καρβιδίου του πυριτίου (SiC) MOSFET trench gate, η οποία βελτιώνει τους κύριους δείκτες απόδοσης των MOSFET κατά 20%, βελτιώνοντας έτσι την ενεργειακή απόδοση και προάγοντας τη χαμηλή εκπομπή άνθρακα. Η νέα γενιά τεχνολογίας G2 του CoolSiC MOSFET θα συνεχίσει να αξιοποιεί τα πλεονεκτήματα απόδοσης του καρβιδίου του πυριτίου, να μειώνει την απώλεια ενέργειας και να βελτιώνει την απόδοση στη διαδικασία μετατροπής ισχύος.