Infineon Technologies представляет технологию траншейных затворов MOSFET нового поколения из карбида кремния (SiC)

Infineon Technologies представила новое поколение технологии траншейных затворов MOSFET из карбида кремния (SiC), которая улучшает основные показатели производительности MOSFET на 20%, тем самым повышая энергоэффективность и способствуя снижению карбонизации. Технология G2 нового поколения CoolSiC MOSFET будет продолжать использовать преимущества производительности карбида кремния, снижать потери энергии и повышать эффективность процесса преобразования энергии.