Infineon Technologies omoherakuã tecnología compuerta zanja MOSFET generación pyahu carburo de silicio (SiC) MOSFET

Infineon Technologies omoherakuã generación pyahu tecnología carburo de silicio (SiC) MOSFET compuerta de zanja, omohenda porãvéva 20% umi indicador principal desempeño MOSFET, péicha omohenda porãve eficiencia energética ha omokyre'ÿva baja carbonización. CoolSiC MOSFET tecnología generación pyahu G2 omotenondéta aprovechamiento ventaja desempeño carburo de silicio, omboguejýva pérdida energía, ha omohenda porã eficiencia proceso de conversión de potencia.