Die Tsinghua-Universität und Lianke Semiconductor haben eine Kooperationsvereinbarung für große Projekte im Bereich Siliziumkarbid-Widerstandsöfen und Epitaxieöfen unterzeichnet

Im November 2023 unterzeichneten die Tsinghua-Universität und Lianke Semiconductor eine Kooperationsvereinbarung über große Siliziumkarbid-Widerstandsofen- und Epitaxieofenprojekte. Die beiden Parteien werden gemeinsam die Forschung und Entwicklung der Siliziumkarbid-Widerstandsofen- und Epitaxieofentechnologie fördern, um die Entwicklung der chinesischen Halbleiterindustrie zu unterstützen.