ცინგხუას უნივერსიტეტმა და Lianke Semiconductor-მა ხელი მოაწერეს თანამშრომლობის ხელშეკრულებას დიდი ზომის სილიციუმის კარბიდის წინააღმდეგობის ღუმელისა და ეპიტაქსიალური ღუმელის პროექტებზე.

0
2023 წლის ნოემბერში ცინგხუას უნივერსიტეტმა და Lianke Semiconductor-მა ხელი მოაწერეს თანამშრომლობის ხელშეკრულებას დიდი ზომის სილიციუმის კარბიდის წინააღმდეგობის ღუმელისა და ეპიტაქსიალური ღუმელის პროექტებზე. ორი მხარე ერთობლივად შეუწყობს ხელს სილიციუმის კარბიდის წინააღმდეგობის ღუმელის და ეპიტაქსიალური ღუმელის ტექნოლოგიის კვლევასა და განვითარებას, რათა დაეხმაროს ჩინეთის ნახევარგამტარული ინდუსტრიის განვითარებას.