Guoji Southern ja 55 Institute of Silicon Carbide tootmisliinid kiirendavad kõrge vooluga ränikarbiidi MOSFET-ide jaoks võtmetehnoloogiate uurimist ja masstootmist

Uute energiasõidukite turu laienemisega kiirendavad Guoji Southern ja 55. ränikarbiidi instituut kõrge vooluga ränikarbiidist MOSFET-ide põhitehnoloogiate väljatöötamist ja tootmist. Kevadfestivali ajal naasid meeskonnaliikmed varakult tööle ja jäid oma töökohale, et rahuldada kiireloomulisi vajadusi uute energiasõidukite, fotogalvaanika, kõrgepinge jõuülekande ja muundamise, nutikate võrkude ja muude valdkondade vallas.