Xingan Technology koncentrējas uz platjoslas pusvadītāju silīcija karbīda (SiC) jaudas mikroshēmu un moduļu pētniecību un izstrādi un ražošanu.

Xingan Technology, kas dibināta 2020. gada septembrī, ir apņēmusies izstrādāt, izstrādāt un ražot platjoslas pusvadītāju silīcija karbīda (SiC) jaudas mikroshēmas un moduļus, kā arī ir izveidojis mikroshēmu ierīču ražošanas līnijas un moduļu moduļu pētniecības un attīstības centrus attiecīgi Dzjanjinā un Šenžeņā. .