Xingan Technology มุ่งเน้นไปที่การวิจัยและพัฒนาและการผลิตชิปและโมดูลพลังงานเซมิคอนดักเตอร์ซิลิกอนคาร์ไบด์ (SiC) แถบความถี่กว้าง

Xingan Technology ก่อตั้งขึ้นในเดือนกันยายน 2563 โดยมุ่งมั่นที่จะออกแบบ พัฒนา และผลิตชิปพลังงานและโมดูลเซมิคอนดักเตอร์ซิลิกอนคาร์ไบด์ (SiC) แบบแถบความถี่กว้าง และได้จัดตั้งสายการผลิตอุปกรณ์ชิปและศูนย์ R&D โมดูลโมดูลในเจียงยินและเซินเจิ้นตามลำดับ .