Rohm colaborează cu Toshiba pentru a produce dispozitive cu carbură de siliciu și semiconductori de putere de siliciu

Rohm și Toshiba au anunțat că vor coopera pentru a produce dispozitive semiconductoare de putere cu carbură de siliciu (SiC) și siliciu (Si), cu sprijinul guvernului japonez. Proiectul urmărește îmbunătățirea capacității de aprovizionare, cu o investiție totală de 388,3 miliarde de yeni, din care 129,4 miliarde de yeni sunt susținute de guvern.