ROHM ຮ່ວມມືກັບ Toshiba ເພື່ອຜະລິດ silicon carbide ແລະອຸປະກອນ semiconductor ພະລັງງານ silicon

Rohm ແລະ Toshiba ປະກາດວ່າພວກເຂົາຈະຮ່ວມມືເພື່ອຜະລິດອຸປະກອນ semiconductor ພະລັງງານ silicon carbide (SiC) ແລະ silicon (Si) ໂດຍໄດ້ຮັບການສະຫນັບສະຫນູນຈາກລັດຖະບານຍີ່ປຸ່ນ. ​ໂຄງການ​ດັ່ງກ່າວ​ມີ​ເປົ້າ​ໝາຍ​ປັບປຸງ​ຄວາມ​ສາມາດ​ດ້ານ​ການ​ສະໜອງ, ດ້ວຍ​ຍອດ​ຈຳນວນ​ເງິນ​ລົງທຶນ 388,3 ຕື້​ເຢນ, ​ໃນ​ນັ້ນ​ມີ​ການ​ສະໜັບສະໜູນ​ຈາກ​ລັດຖະບານ 129,4 ຕື້​ເຢນ.