ROHM সিলিকন কার্বাইড এবং সিলিকন পাওয়ার সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস তৈরি করতে তোশিবার সাথে অংশীদারিত্ব করেছে

Rohm এবং Toshiba ঘোষণা করেছে যে তারা জাপান সরকারের সহায়তায় সিলিকন কার্বাইড (SiC) এবং সিলিকন (Si) পাওয়ার সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস তৈরি করতে সহযোগিতা করবে৷ প্রকল্পটির লক্ষ্য 388.3 বিলিয়ন ইয়েনের মোট বিনিয়োগ সহ সরবরাহ ক্ষমতা উন্নত করা, যার মধ্যে 129.4 বিলিয়ন ইয়েন সরকার দ্বারা সমর্থিত।