Rohm თანამშრომლობს Toshiba-სთან სილიციუმის კარბიდისა და სილიციუმის სიმძლავრის ნახევარგამტარული მოწყობილობების წარმოებაში

Rohm-მა და Toshiba-მ განაცხადეს, რომ ისინი ითანამშრომლებენ სილიციუმის კარბიდის (SiC) და სილიციუმის (Si) ელექტრო ნახევარგამტარული მოწყობილობების წარმოებაზე, იაპონიის მთავრობის მხარდაჭერით. პროექტი მიზნად ისახავს მიწოდების სიმძლავრის გაუმჯობესებას, ჯამური ინვესტიციით 388,3 მილიარდი იენი, საიდანაც 129,4 მილიარდი იენი მთავრობას უჭერს მხარს.