ROHM oñemoirû Toshiba ndive ojapo haguã carburo de silicio ha umi dispositivo semiconductor potencia de silicio

Rohm ha Toshiba oikuaauka oñomoirûtaha oproduci haguã umi dispositivo semiconductor de potencia carburo de silicio (SiC) ha silicio (Si), oipytyvõva gobierno japonés. Ko proyecto hembipotápe oime omohenda porãve capacidad de suministro, orekóva inversión total 388.300 millones de yenes, umíva apytégui 129.400 millones de yens oipytyvõva gobierno.