希科半导体成功实现8英寸SiC外延片量产

希科半导体科技（苏州）有限公司宣布，其研发团队已成功实现国产8英寸（200mm）碳化硅（SiC）衬底上的同质外延生长，并具备8英寸SiC外延片的量产能力。该公司生产的8英寸SiC外延片质量达到国际先进水平，且3mm*3mm管芯良率达到97%以上。