Jiangxi Gangfeng Technologys årlige produktionskapacitet på 400.000 stykker SiC substrat projekt miljøkonsekvensvurdering meddelelse

Jiangxi Gangfeng Technology annoncerede for nylig miljøkonsekvensvurderingsoplysningerne for sit tredje generations halvledersubstrat-epitaksiale byggeprojekt (fase I) med en årlig produktion på 400.000 stykker. Projektet dækker et areal på 83.060,76 kvadratmeter og har en samlet investering på 4,5 milliarder yuan Det sigter mod at bygge en SiC-halvledersubstratproduktionslinje og relaterede fabriksfaciliteter. Efter at projektet er afsluttet, forventes det at have en årlig produktionskapacitet på 400.000 stykker tredjegenerations halvledersubstratepitaksi. Jiangxi Gangfeng sagde, at dette skridt er rettet mod at imødekomme markedets efterspørgsel efter højtydende halvledersubstratmaterialer og fremme virksomhedens teknologiske innovation og industrielle opgradering inden for halvlederområdet.