Letna proizvodna zmogljivost podjetja Jiangxi Gangfeng Technology 400.000 kosov substrata SiC napoved ocene vplivov na okolje

Jiangxi Gangfeng Technology je nedavno objavil informacije o oceni vplivov na okolje svojega projekta epitaksialne gradnje polprevodniškega substrata tretje generacije (I. faza) z letno proizvodnjo 400.000 kosov. Projekt pokriva površino 83.060,76 kvadratnih metrov, s skupno naložbo 4,5 milijarde juanov, cilj pa je izgradnja proizvodne linije za polprevodniške substrate SiC in povezanih tovarniških zmogljivosti. Po končanem projektu naj bi imel letno proizvodno zmogljivost 400.000 kosov epitaksije polprevodniškega substrata tretje generacije. Jiangxi Gangfeng je izjavil, da je ta poteza namenjena izpolnjevanju tržnega povpraševanja po visoko zmogljivih polprevodniških substratnih materialih ter spodbujanju tehnoloških inovacij in industrijske nadgradnje podjetja na področju polprevodnikov.