Kapasiti pengeluaran tahunan Jiangxi Gangfeng Technology sebanyak 400,000 keping pengumuman penilaian kesan alam sekitar projek substrat SiC

Jiangxi Gangfeng Technology baru-baru ini mengumumkan maklumat penilaian kesan alam sekitar bagi projek pembinaan epitaxial substrat semikonduktor generasi ketiganya (Fasa I) dengan pengeluaran tahunan sebanyak 400,000 keping. Projek ini meliputi kawasan seluas 83,060.76 meter persegi, dengan jumlah pelaburan sebanyak 4.5 bilion yuan, dan bertujuan untuk membina barisan pengeluaran substrat semikonduktor SiC dan kemudahan kilang yang berkaitan. Selepas projek itu siap, ia dijangka mempunyai kapasiti pengeluaran tahunan sebanyak 400,000 keping epitaksi substrat semikonduktor generasi ketiga. Jiangxi Gangfeng berkata bahawa langkah ini bertujuan untuk memenuhi permintaan pasaran untuk bahan substrat semikonduktor berprestasi tinggi dan mempromosikan inovasi teknologi dan peningkatan industri syarikat dalam bidang semikonduktor.