南瑞半導體1200V/40mΩ SiC MOSFET元件通過AEC-Q101車規級認證
賓士EQE SUV
水
元
月
半
研發
元
南瑞半導體
認證
車規
半導體
車規級
2024-12-26 05:53
70
1月16日,南瑞半導體宣布其自主研發的1200V/40mΩ SiC MOSFET元件成功通過AEC-Q101車規級可靠度認證,標誌著南瑞半導體產品品質達到國際領先水準。
Prev:Proyecto Chip Híbrido Digital-Analógico Integrado Xinlian rehegua
Next:NARI Semiconductor's 1200V/40mΩ SiC MOSFET device has passed AEC-Q101 automotive-grade certification
News
Exclusive
Data
Account