Déi zweet Phase Projet vu China Electronics Technology (Shanxi) Silicon Carbide Materials Industrial Base ass amgaang a Produktioun gesat ze ginn

Laut der offizieller Noriicht vun der China Electronics Technology (Shanxi) Silicon Carbide Materials Industrial Base, de 4. Januar, ass de Chantier vum zweete Phase Projet vun der Basis intensiv Installatiounsaarbechte vu Feierschutzleitungen, mechanesch an elektresch Installatioun, an Isolatioun. Material fir d'Entrée vun Ausrüstung um Enn vum Mount ze preparéieren. De Projet huet eng Gesamtinvestitioun vu RMB 500 Milliounen a wäert eng ëmfaassend Fabréck bauen mat enger Gesamtfläch vun ongeféier 16.000 Quadratmeter, dorënner e monokristalline Produktiounsatelier a Kraaftstützungsanlagen. Et gëtt erwaart datt no der Produktioun a Betrib geholl gëtt, den alljährlechen Ausgangswäert 300.000 Stécker erreechen.