Projekt druge faze industrijske baze za materiale iz silicijevega karbida China Electronics Technology (Shanxi) je tik pred začetkom obratovanja

Po uradnih novicah industrijske baze silicijevega karbida Kitajske elektronske tehnologije (Shanxi) so 4. januarja na gradbišču druge faze projekta baze potekala intenzivna inštalacijska dela protipožarnih cevovodov, mehanskih in električnih inštalacij ter izolacije. materiala za pripravo vnosa opreme ob koncu meseca. Projekt ima skupno naložbo v višini 500 milijonov juanov in bo zgradil obsežno tovarno s skupno površino približno 16.000 kvadratnih metrov, vključno z monokristalno proizvodno delavnico in energetskimi podpornimi objekti. Po začetku proizvodnje naj bi letna vrednost proizvodnje dosegla 300.000 kosov.