Secundum tempus consilium Sinarum Electronics Technologiae (Shanxi) Silicon Carbide Materials Industrialis Base productio est incipienda.

Secundum nuntium officialem e Sinarum Electronics Technologiae (Shanxi) Silicon Carbide Materiae Industrialis Basis, quarto Kalendas Februarii, constructio situs secundi gradus incepti basis subibat intensivam institutionem operis tuendi fistularum ignium, institutionem mechanicam et electricam, ac insulationem. materias parare in introitu instrumenti in fine mensis. Exertum habet totam obsidionem RMB 500 milium et fabricam fabricam comprehensivam cum totali spatio fere 16000 metrorum quadratorum, incluso officinam productionis monocrystallini et potentiae facultatem sustentandi. Expectatur post productionem in operatione annuum outputum perventurum ad 300.000 frusta.