Anjian Semiconductor ໄດ້ຮັບຫຼາຍກ່ວາ 200 ລ້ານຢວນໃນການສະຫນອງທຶນຮອບ C1, ແລະສາຍການຜະລິດການຫຸ້ມຫໍ່ SiC ໂມດູນກໍາລັງຢູ່ໃນການກໍ່ສ້າງ.
gallium nitride
ນທ
ຮອບ C
IGBT
ນີ້
ແລະ
ມ
ນໍ
SiC MOS
ໂດຍ
ໃຫຍ່
Anjian Semiconductor
ສ່ວນ
ຢ
ຢວນ
ການຜະລິດ
ທຶນ
ທຶນ
ທຶນ
ນໍ
ທ
ຮ່ວມ
ນ
ທຶນ
ການຜະລິດ
SiC
ການພັດທະນາ
ພັດທະນາ
ນີ້
ການຜະລິດ
ການຜະລິດ
ແມ່
2024-12-26 06:58
37
Anjian Semiconductor ໄດ້ສໍາເລັດຮອບ C1 ຂອງການເງິນຫຼາຍກ່ວາ 200 ລ້ານຢວນໃນຮອບນີ້ໄດ້ເຂົ້າຮ່ວມໂດຍສະຖາບັນການລົງທຶນຫຼາຍ. ເງິນທຶນທີ່ລະດົມໄດ້ແມ່ນຈະຖືກນໍາໃຊ້ເປັນສ່ວນໃຫຍ່ສໍາລັບການພັດທະນາແລະການຜະລິດຈໍານວນຫລາຍຂອງ automotive-grade IGBT ແລະ SiC MOS ເວທີຜະລິດຕະພັນ.
