Anjian Semiconductor-მა მიიღო 200 მილიონ იუანზე მეტი C1 რაუნდის დაფინანსებაში, ხოლო SiC მოდულის შეფუთვის საწარმოო ხაზი მშენებარე მდგომარეობაშია.

37
Anjian Semiconductor-მა დაასრულა 200 მილიონ იუანზე მეტი დაფინანსების C1 რაუნდი. შემოსული თანხები ძირითადად მოხმარდება საავტომობილო კლასის IGBT და SiC MOS პროდუქტის პლატფორმების განვითარებასა და მასობრივ წარმოებას.