Anjian Semiconductor ohupyty hetave 200 millones de yuanes financiamiento ronda C1, ha línea de producción envasado módulo SiC oime construcción

Anjian Semiconductor omohu'ã ronda C1 de financiamiento ohasáva 200 millones de yuanes Ko ronda de financiamiento oime kuri múltiple institución de inversión. Umi fondo oñembyatýva ojeporúta principalmente desarrollo ha producción masiva plataforma producto IGBT ha SiC MOS grado automotriz.