ໂຄງການໄມໂຄຣເອເລັກໂທຣນິກ Liguoxin ໄດ້ຖືກຜະລິດຢ່າງສຳເລັດຜົນ

ໂຄງການ Li Guoxin microelectronics ໄດ້ປະສົບຜົນສໍາເລັດໃນການຜະລິດຂະຫນາດໃຫຍ່, ໂຄງການດັ່ງກ່າວວາງແຜນທີ່ຈະສ້າງຕັ້ງການຫຸ້ມຫໍ່ chip ລະດັບກາງຫາລະດັບສູງ 16 ເສັ້ນແລະການທົດສອບ, ມີຜົນຜະລິດປະຈໍາປີຂອງ 22.5 ຕື້ຊິບລະດັບສູງ. ຜົນສໍາເລັດນີ້ຈະຊ່ວຍສົ່ງເສີມການນໍາໃຊ້ແລະການພັດທະນາຂອງເຕັກໂນໂລຊີທີ່ກ່ຽວຂ້ອງເຊັ່ນ: gallium nitride (GaN) ໃນພາກສະຫນາມຂອງ microelectronics.