Hebei Puxing Electronic Technology startet Industrialisierungsprojekt für 6-Zoll-Siliziumkarbid-Epitaxiewafer mit Defekten niedriger Dichte

Hebei Puxing Electronic Technology Co., Ltd. kündigte den Start des „6-Zoll-Projekts zur Industrialisierung defekter Siliziumkarbid-Epitaxiewafer“ an. Das Projekt wird die erste Offenlegung von Informationen zur Umweltverträglichkeitsprüfung durchführen. Die Gesamtinvestition des Projekts beträgt 350,7016 Millionen Yuan. Es wird in der Fabrik Nr. 1 des Unternehmens mit einer Baufläche von etwa 116 Sätzen (Sätzen) von Siliziumkarbid (SiC)-Epitaxieanlagen renoviert und erweitert Es wird unterstützende Ausrüstung erworben, um eine Produktionslinie für 6-Zoll-SiC-Epitaxiematerial mit Defekten niedriger Dichte zu schaffen. Nach Abschluss des Projekts wird eine jährliche Produktionskapazität von 240.000 SiC-Epitaxiewafern erwartet.