Hebei Puxing Electronic Technology lance un projet d'industrialisation de plaquettes épitaxiales en carbure de silicium à faible densité de 6 pouces

Hebei Puxing Electronic Technology Co., Ltd. a annoncé le lancement du « projet d'industrialisation de plaquettes épitaxiales défectueuses en carbure de silicium de faible densité de 6 pouces ». Le projet procédera à la première divulgation d'informations sur l'évaluation de l'impact environnemental. L'investissement total du projet atteint 350,7016 millions de yuans. Il sera rénové et agrandi dans l'usine n°1 de l'entreprise avec une superficie de construction d'environ 4 000 mètres carrés, 116 ensembles (ensembles) d'équipements épitaxiaux en carbure de silicium (SiC). des équipements de support seront achetés pour former une ligne de production de matériaux épitaxiaux SiC à faible densité de 6 pouces. Une fois le projet terminé, il devrait atteindre une capacité de production annuelle de 240 000 plaquettes épitaxiales SiC.