Hebei Puxing Electronic Technology lanza un proyecto de industrialización de obleas epitaxiales de carburo de silicio con defectos de baja densidad de 6 pulgadas

Hebei Puxing Electronic Technology Co., Ltd. anunció el lanzamiento del "proyecto de industrialización de obleas epitaxiales de carburo de silicio defectuosas de baja densidad de 6 pulgadas". El proyecto llevará a cabo la primera divulgación de información sobre la evaluación de impacto ambiental. La inversión total del proyecto alcanza los 350,7016 millones de yuanes. Se renovará y ampliará en la fábrica número 1 de la compañía con un área de construcción de aproximadamente 4.000 metros cuadrados con 116 conjuntos (juegos) de equipos epitaxiales de carburo de silicio (SiC). Se comprará equipo de soporte para formar una línea de producción de material epitaxial de SiC con defectos de baja densidad de 6 pulgadas. Una vez finalizado el proyecto, se espera alcanzar una capacidad de producción anual de 240.000 obleas epitaxiales de SiC.