Hebei Puxing Electronic Technology lancéiert 6-Zoll Low-Density Defekt Silicon Carbide Epitaxial Wafer Industrialiséierungsprojet
Si
Pro
Si
Produktioun Linn
Epitaxial Wafer
Zoll
Yuan
Wafer
Dicht
Hebei
defekt
Produktioun Linn
Silicon Carbide
SiC
Projet
2024-12-26 08:55
1
Hebei Puxing Electronic Technology Co., Ltd. annoncéiert de Start vum "6-Zoll Low-Density defekt Silicon Carbide Epitaxial Wafer Industrialiséierungsprojet" D'Gesamtinvestitioun vum Projet erreecht 350,7016 Milliounen Yuan ënnerstëtzen Ausrüstung wäert fir eng Form eng 6-Zoll niddereg Dicht Defekt SiC epitaxial Material Produktioun Linn kaaft ginn. Nodeems de Projet ofgeschloss ass, gëtt erwaart eng jährlech Produktiounskapazitéit vun 240.000 SiC epitaxial Wafere z'erreechen.
