A Hebei Puxing Electronic Technology elindítja a 6 hüvelykes, alacsony sűrűségű hibás szilícium-karbid epitaxiális lapka iparosítási projektjét

2024-12-26 08:55
 1
A Hebei Puxing Electronic Technology Co., Ltd. bejelentette a "6 hüvelykes, alacsony sűrűségű hibás szilícium-karbid epitaxiális szelet iparosítási projektjének elindítását". A projekt elvégzi az első környezeti hatásvizsgálati információk közzétételét. A projekt összberuházása eléri a 350,7016 millió jüant. A cég 1. számú gyárában mintegy 116 db szilícium-karbid (SiC) epitaxiális berendezéssel készülnek támogató berendezéseket vásárolnak egy 6 hüvelykes, alacsony sűrűségű defektusos SiC epitaxiális anyag gyártósor kialakításához. A projekt befejezése után várhatóan 240 000 SiC epitaxiális lapka éves gyártási kapacitása lesz.