Hebei Puxing အီလက်ထရွန်းနစ်နည်းပညာသည် 6 လက်မသိပ်သည်းဆနိမ့်သောချို့ယွင်းချက်ဆီလီကွန်ကာဗိုက် epitaxial wafer စက်မှုလုပ်ငန်းပရောဂျက်ကိုစတင်ခဲ့သည်။

Hebei Puxing Electronic Technology Co., Ltd. သည် "6-inch low-density silicon carbide epitaxial wafer industrialization project" ကို မိတ်ဆက်ကြေညာခဲ့ပြီး အဆိုပါ ပရောဂျက်သည် ပထမဆုံးသော သဘာဝပတ်ဝန်းကျင်ဆိုင်ရာ ထိခိုက်မှု အကဲဖြတ်ခြင်းဆိုင်ရာ အချက်အလက်များကို ထုတ်ဖော်ပြသမည်ဖြစ်သည်။ ပရောဂျက်၏ စုစုပေါင်းရင်းနှီးမြှုပ်နှံမှုသည် ယွမ် ၃၅၀.၇၀၁၆ သန်းအထိရှိပြီး ၎င်းကို ကုမ္ပဏီ၏ နံပါတ် ၁ စက်ရုံတွင် ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) epitaxial ကိရိယာအစုံ (၁၁၆ စုံ) ခန့်ဖြင့် တည်ဆောက်ပြီး တိုးချဲ့မည်ဖြစ်သည်။ ထောက်ပံ့ရေးပစ္စည်းများကို 6 လက်မနိမ့်သိပ်သည်းဆချို့ယွင်းစေသော SiC epitaxial ပစ္စည်းထုတ်လုပ်မှုလိုင်းဖွဲ့စည်းရန် ဝယ်ယူမည်ဖြစ်သည်။ စီမံကိန်းပြီးပါက၊ နှစ်စဉ် SiC epitaxial wafers 240,000 ထုတ်လုပ်နိုင်မည်ဟု မျှော်လင့်ရသည်။