Công nghệ điện tử Puxing Hà Bắc triển khai dự án công nghiệp hóa tấm wafer epiticular silicon 6 inch có khuyết tật mật độ thấp

Công ty TNHH Công nghệ Điện tử Puxing Hà Bắc đã công bố khởi động "dự án công nghiệp hóa tấm wafer silicon cacbua mật độ thấp 6 inch". Dự án sẽ tiến hành công bố thông tin đánh giá tác động môi trường đầu tiên. Tổng vốn đầu tư của dự án đạt 350,7016 triệu nhân dân tệ. Nó sẽ được cải tạo và mở rộng tại nhà máy số 1 của công ty với diện tích xây dựng khoảng 4.000 mét vuông và 116 bộ (bộ) thiết bị epiticular silic cacbua (SiC). thiết bị hỗ trợ sẽ được mua để tạo thành dây chuyền sản xuất vật liệu epiticular SiC có khuyết tật Mật độ thấp 6 inch. Sau khi dự án hoàn thành, dự kiến ​​sẽ đạt công suất sản xuất hàng năm là 240.000 tấm wafer epiticular SiC.