Teknologi Elektronik Hebei Puxing melancarkan projek perindustrian wafer epitaxial silikon karbida kecacatan berketumpatan rendah 6 inci

Hebei Puxing Electronic Technology Co., Ltd. mengumumkan pelancaran "projek perindustrian wafer epitaxial silikon karbida berketumpatan rendah berketumpatan rendah 6 inci Projek ini akan menjalankan pendedahan maklumat penilaian kesan alam sekitar yang pertama". Jumlah pelaburan projek itu mencecah 350.7016 juta yuan Ia akan diubah suai dan diperluaskan di kilang No. 1 syarikat dengan keluasan kira-kira 4,000 meter persegi (set) peralatan epitaxial silikon karbida (SiC). peralatan sokongan akan dibeli untuk membentuk barisan pengeluaran bahan epitaxial SiC kecacatan Ketumpatan rendah 6 inci. Selepas projek itu siap, ia dijangka mencapai kapasiti pengeluaran tahunan sebanyak 240,000 wafer epitaxial SiC.