Tecnología Electrónica Hebei Puxing omoñepyrü proyecto industrialización oblea epitaxial carburo de silicio defecto baja densidad 6 pulgadas

Hebei Puxing Electronic Technology Co., Ltd. oikuaauka omoñepyrüvo "proyecto industrialización oblea epitaxial carburo de silicio defectuoso baja densidad 6 pulgadas". Inversión total proyecto oguahë 350,7016 millones de yuanes Oñembopyahúta ha oñembotuichave fábrica No 1 empresa orekóva área de construcción haimete 4.000 metros cuadrados 116 conjunto (conjunto) de equipo epitaxial carburo de silicio (SiC). ojejoguáta equipo de apoyo oforma haguã línea de producción material epitaxial SiC defecto Densidad baja 6 pulgadas. Oñemohu'ã rire proyecto, oñeha'ãrõ ohupyty capacidad de producción anual 240.000 oblea epitaxial SiC.