Yangzhou Yangjie Technology parakstīja līgumu par jaunu enerģijas transportlīdzekļu IGBT un silīcija karbīda moduļu iepakojuma projektiem

Nesen Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. veiksmīgi parakstīja jaunus enerģijas transportlīdzekļu IGBT un silīcija karbīda (SiC) moduļu iepakošanas projektus progresīvās ražošanas projekta Jaungada centralizētajā parakstīšanas ceremonijā Veijanas ekonomiskās attīstības zonā, Handzjanas rajonā, Jandžou pilsētā, Dzjansu province. Projekta kopējās investīcijas sasniedz 500 miljonus juaņu, un ikgadējais nodokļu maksājums ir 15 miljoni juaņu. Koncentrējieties uz automobiļu līmeņa IGBT moduļu un SiC MOSFET moduļu pētniecību un izstrādi un ražošanu.