A Yangzhou Yangjie Technology szerződést írt alá új energiajárművek IGBT és szilícium-karbid modulcsomagolási projektjeiről

A közelmúltban a Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. sikeresen írt alá új energiahordozó IGBT és szilícium-karbid (SiC) modulcsomagolási projekteket a fejlett gyártási projekt újévi központi aláírási ceremóniáján a Weiyang Gazdaságfejlesztési Zóna Hanjiang kerületében, Yangzhou város. Jiangsu tartomány. A projekt teljes beruházása eléri az 500 millió jüant, az éves adófizetés pedig 15 millió jüant. Fókuszban az autóipari minőségű IGBT modulok és a SiC MOSFET modulok kutatás-fejlesztése és gyártása.