Yangzhou Yangjie Technology allkirjastas lepingu uute energiasõidukite IGBT ja ränikarbiidi mooduli pakendamise projektide jaoks

Hiljuti allkirjastas Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. edukalt uued energiasõidukite IGBT ja ränikarbiidi (SiC) mooduli pakendamise projektid arenenud tootmisprojekti uusaasta tsentraliseeritud allkirjastamise tseremoonial Yangzhou linna Hanjiangi rajoonis Weiyangi majandusarengu tsoonis. Jiangsu provints. Projekti koguinvesteering ulatub 500 miljoni jüaanini ja aastane maksumakse on 15 miljonit jüaani. Keskenduge autotööstuses kasutatavate IGBT-moodulite ja SiC MOSFET-moodulite uurimis- ja arendustegevusele ning tootmisele.