Yangzhou Yangjie ເທກໂນໂລຍີໄດ້ເຊັນສັນຍາສໍາລັບ IGBT ຍານພາຫະນະພະລັງງານໃຫມ່ແລະໂຄງການການຫຸ້ມຫໍ່ silicon carbide module

ບໍ່ດົນມານີ້, Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. ໄດ້ປະສົບຜົນສໍາເລັດລົງນາມໃນໂຄງການຫຸ້ມຫໍ່ໂມດູນ IGBT ແລະ silicon carbide (SiC) ຍານພາຫະນະພະລັງງານໃຫມ່ທີ່ພິທີລົງນາມໃນປີໃຫມ່ສໍາລັບໂຄງການການຜະລິດກ້າວຫນ້າໃນເຂດພັດທະນາເສດຖະກິດ Weiyang, Hanjiang, Yangzhou City, ແຂວງຈຽງຊູ. ຍອດ​ມູນ​ຄ່າ​ການ​ລົງ​ທຶນ​ຂອງ​ໂຄງ​ການ​ໄດ້​ບັນ​ລຸ 500 ລ້ານ​ຢວນ​, ແລະ​ການ​ຊໍາ​ລະ​ພາ​ສີ​ປະ​ຈໍາ​ປີ​ແມ່ນ 15 ລ້ານ​ຢວນ​. ເນັ້ນໃສ່ R&D ແລະການຜະລິດໂມດູນ IGBT ລະດັບລົດຍົນ ແລະໂມດູນ SiC MOSFET.