Die Gesamtinvestition in das Projekt von Mesk Electronics zur Herstellung von 3,6 Millionen 8-Zoll-Silizium-Epitaxiewafern pro Jahr beträgt etwa 1,4 Milliarden Yuan.

Die Gesamtinvestition in das Projekt von Mesko Electronics zur Herstellung von jährlich 3,6 Millionen 8-Zoll-Silizium-Epitaxiewafern beläuft sich auf über 1,4 Milliarden Yuan, bei einer Baufläche von mehr als 50.000 Quadratmetern. Nach Abschluss des Projekts werden jährlich 3,6 Millionen 8-Zoll-Silizium-Epitaxiewafer hergestellt, was Henan dabei helfen wird, die Führung in aufstrebenden Industrien zu übernehmen und die starke Entwicklung der Lokalisierung von Halbleitermaterialien voranzutreiben.