L'investissement total dans le projet de Mesk Electronics visant à produire 3,6 millions de tranches épitaxiales de silicium de 8 pouces par an s'élève à environ 1,4 milliard de yuans.

L'investissement total dans le projet de Mesko Electronics visant à produire 3,6 millions de plaquettes épitaxiales de silicium de 8 pouces par an dépasse 1,4 milliard de yuans, avec une superficie de construction de plus de 50 000 mètres carrés. Une fois le projet terminé, il produira chaque année 3,6 millions de tranches épitaxiales de silicium de 8 pouces, ce qui aidera le Henan à prendre la tête des industries émergentes et à promouvoir le développement vigoureux de la localisation des matériaux semi-conducteurs.