Den samlede investering i Mesk Electronics projekt om at producere 3,6 millioner 8-tommer silicium epitaksiale wafere årligt er omkring 1,4 milliarder yuan.

Den samlede investering i Mesko Electronics projekt om at producere 3,6 millioner 8-tommer silicium epitaksiale wafere overstiger årligt 1,4 milliarder yuan med et byggeareal på mere end 50.000 kvadratmeter. Efter at projektet er afsluttet, vil det producere 3,6 millioner 8-tommer silicium epitaksiale wafere årligt, hvilket vil hjælpe Henan med at tage føringen i nye industrier og fremme den kraftige udvikling af lokalisering af halvledermaterialer.