De totale investering in het project van Mesk Electronics om jaarlijks 3,6 miljoen 8-inch epitaxiale siliciumwafels te produceren bedraagt ​​ongeveer 1,4 miljard yuan.

De totale investering in het project van Mesko Electronics om jaarlijks 3,6 miljoen 8-inch epitaxiale siliciumwafels te produceren bedraagt ​​meer dan 1,4 miljard yuan, met een constructieoppervlak van meer dan 50.000 vierkante meter. Nadat het project is voltooid, zal het jaarlijks 3,6 miljoen 8-inch epitaxiale siliciumwafels produceren, wat Henan zal helpen de leiding te nemen in opkomende industrieën en de krachtige ontwikkeling van de lokalisatie van halfgeleidermaterialen zal bevorderen.