La inversión total en el proyecto de Mesk Electronics para producir 3,6 millones de obleas epitaxiales de silicio de 8 pulgadas al año es de aproximadamente 1.400 millones de yuanes.

La inversión total en el proyecto de Mesko Electronics para producir 3,6 millones de obleas epitaxiales de silicio de 8 pulgadas al año supera los 1.400 millones de yuanes, con una superficie de construcción de más de 50.000 metros cuadrados. Una vez completado el proyecto, producirá 3,6 millones de obleas epitaxiales de silicio de 8 pulgadas al año, lo que ayudará a Henan a tomar el liderazgo en industrias emergentes y promoverá el vigoroso desarrollo de la localización de materiales semiconductores.